您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問(wèn)
掃一掃訪問(wèn)手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國(guó)服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號(hào)愛(ài)華科研樓7層
-
怎么選擇正確的MOS管產(chǎn)品
2019-08-09
烜芯微教你正確選擇MOS管重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好就可能影響到整個(gè)電路的功率使用，會(huì)造成雪崩等原因，了解不同的MOS管部件的細(xì)微差
-
MOS管場(chǎng)效應(yīng)管的作用是什么-以及應(yīng)用領(lǐng)域
2019-08-09
場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完
-
mos管模型和三個(gè)小信號(hào)參數(shù)
2019-08-09
小信號(hào)等效電路模仿電路解析包括直流解析和交流小信號(hào)解析。這里導(dǎo)入小信號(hào)解析時(shí)所需要的小信號(hào)等效電路。小信號(hào)等效電路模型是使計(jì)算簡(jiǎn)單
-
mos管柵極-源極放大電路會(huì)不會(huì)出現(xiàn)電壓的變動(dòng)
2019-08-09
柵極接地放大電路如表3 1所示，所謂柵極接地放大電路，就是在柵極固定為一定電位的狀態(tài)下，輸入信號(hào)加到源極上，從漏極取出輸出信號(hào)的電路
-
提高電路開關(guān)速度有哪幾種方法
2019-08-08
柵極驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化以下幾種簡(jiǎn)單的技術(shù)措施能夠有效進(jìn)步電路的開關(guān)速度，這就是柵極驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化（圖5 80）。通常狀況下，為了進(jìn)步電源的應(yīng)用率
-
CMOS反相器工作原理與傳輸特性的類別
2019-08-08
CMOS反相器的特性反相器的意思就是反轉(zhuǎn)，是將輸入的信號(hào)電平反轉(zhuǎn)輸出的電路。圖10 5是將MOS晶體管置換為開關(guān)的反相器電路。就是說(shuō)p溝 n溝MO
-
CMOS構(gòu)成AB級(jí)輸出電路的結(jié)構(gòu)辦法
2019-08-08
基于CMOS的普通的AB級(jí)輸出電路圖9 24示出一例用CMOS構(gòu)成AB級(jí)輸出電路的辦法。輸出晶體管M,和Mz兩個(gè)柵極間并聯(lián)銜接著n溝MOS晶體管M3和p溝MOS
-
CMOS電路輸入阻抗高有利于并行連接多個(gè)器件嗎
2019-08-08
輸入阻抗高由于柵氧化膜與硅襯底絕緣，所以CMOS的輸入具有十分高的輸入阻抗。實(shí)踐的CMOS器件中，輸入級(jí)裝備有維護(hù)電路（維護(hù)二極管或維護(hù)MO
-
mos管工作原理-最全面mos管工作原理文章
2019-08-08
MOS管工作原理MOS管定義MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。其結(jié)構(gòu)示意圖：結(jié)構(gòu)示意圖解析1）溝道上面圖
-
N溝道MOS管與P溝道MOS管知識(shí)
2019-08-07
詳解，N溝道MOS管和P溝道MOS管先講講MOS CMOS集成電路MOS集成電路特點(diǎn)：制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單，
-
cmos保護(hù)電路中的什么特征還有它的優(yōu)勢(shì)是在哪個(gè)方面
2019-08-07
輸入維護(hù)電路當(dāng)器件加有過(guò)大的電壓或電流時(shí)，器件會(huì)遭到損傷而導(dǎo)致性能劣化，嚴(yán)重時(shí)會(huì)被擊穿。這時(shí)芯片上的布線或器件的分離局部將會(huì)被毀壞
-
mos管漏極電流電壓和什么有關(guān)
2019-08-07
漏極電流與VGS呈指數(shù)關(guān)系至此，所考慮的MOS晶體管的工作，都是柵極—源極間電壓VGS比閾值電壓VT大時(shí)的狀況。當(dāng)VGS比VT大很多時(shí)，在柵氧化膜