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首先我們可以知道高壓軟啟動器的基本原理其實是差不多的，倆者相比之下有哪些

(1)高壓軟啟動器在高壓環(huán)境下工作，各種電氣元器件的絕緣性能一定要好，電子芯片的抗干擾能力要強。高壓軟起動器組成電氣柜時，電氣元器件的布局以及與高壓軟啟動器與其它電氣設備的連接也是非常重要的。

(2)高壓軟啟動器必須有一個高性能的控制核心，能對信號進行及時和快速地處理。因此這個控制核心一般采用高性能的dsp芯片，而不是低壓軟啟動器的普通單片機芯。低壓軟啟動器主回路由三組反并聯的晶閘管組成。而在高壓軟啟動器中，由于單只高壓晶閘管的耐壓能力不夠，所以必須由多個高壓晶閘管串聯進行分壓。但是每個晶閘管的性能參數沒有完全一致。晶閘管參數的不一致，會導致晶閘管開通時間不一致，從而導致晶閘管的損壞。因此在晶閘管的選配上，必須保證每一相的晶閘管參數盡可能地一致，并且每一相晶閘管的rc濾波電路的元件參數盡可能一致。

(3)高壓軟起動器的工作環(huán)境容易受到各種電磁干擾，因此觸發(fā)信號的傳遞必須安全可靠。高壓軟起動器中，傳遞觸發(fā)信號，一般采用光纖傳輸，能有效地避免各種電磁干擾。通過光纖傳遞信號，也有兩種方式：一種多光纖方式，一種單光纖方式。多光纖方式即每塊觸發(fā)板有一路光纖;單光纖方式即每一相只有一路光纖，信號傳遞到一塊主觸發(fā)板，再由主觸發(fā)板傳遞到同一相的其他觸發(fā)板。由于各路光纖光電傳輸過程中損耗不盡一致，因此從觸發(fā)一致性上看，單光纖的方式比多光纖可靠。

(4)高壓軟啟動器對信號的檢測比低壓軟啟動器要求更高。高壓軟起動器所在的環(huán)境存在著大量的電磁干擾，并且高壓軟啟動器所用的真空接觸器和真空斷路器在其分斷和閉合過程中會產生大量的電磁干擾。所以對檢測到的信號不僅要進行硬件濾波，也要進行軟件濾波，去掉干擾信號。

(5)軟啟動器在完成啟動過程后，要切換到旁路運行狀態(tài)，如何平滑地切換到運行狀態(tài)，這也是軟啟動器的一個難點，如何選準旁路點非常重要。旁路點早了，電流沖擊非常大，即使在低壓條件下，也會造成三相電源中斷路器跳閘，甚至會損壞斷路器。高壓條件下危害更大。旁路點遲了，電機抖動得厲害，影響負載正常工作。因此，旁路信號的硬件檢測電路必須非常精確，并且程序處理也要恰到好處。