以某型號器件為例，通過分析其曲線，來分析MOS管的工作特性。
一、轉移特性曲線(VGS-ID曲線)
說明的是柵極電壓VGS對ID的控制作用。
從上圖曲線可得到：
1、測試條件：VDS=20V；
2、VGS的開啟電壓VGS(th)，約5V，且隨著溫度的升高而降低；
3、VGS需要達到10V以上，才能完全導通，達到其最大標稱ID；
4、VGS越大，ID才能越大，溫度越高，ID越小；
二、輸出特性曲線(VDS-ID曲線)
上圖可被分為四部分：
1、夾斷區(qū)(截止區(qū))
此區(qū)域內，VGS未達到VGS(th)，MOS管不導通，即ID基本為零；
2、可變電阻區(qū)
此區(qū)域內，ID-VDS基本維持線性比例關系，斜率即為MOSFET的導通電子Rds(on)。
3、飽和區(qū)
此區(qū)域內，ID不再隨著VDS的增大而增大。說明ID已經飽和了。
4、擊穿區(qū)
此區(qū)域內，因VDS過大，MOSFET被擊穿損壞。
當MOSFET工作在開關狀態(tài)時，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區(qū)和可變電阻區(qū)來回切換的，在切換過程中可能會經過飽和區(qū)。
當MOSFET工作于飽和區(qū)時，可以用來通過控制VGS的電壓來控制電流ID，將MOSFET用于實現(xiàn)上電軟起動電路。
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