1N65場效應(yīng)管,1A 650V,1N65參數(shù)資料,1N65引腳圖,1N65中文資料規(guī)格書PDF
1N65 TO-252參數(shù)封裝：點(diǎn)擊查看
1N65封裝有TO-252/TO-220/TO-220F
1N65場效應(yīng)管參數(shù)如下:
極性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：650V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：1A
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=100℃：0.6A
Power Dissipation 功率損耗Pd：28W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=0.5A,VGS=10V：Typ：9.3Ω Max 11.5Ω
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
1N65場效應(yīng)管/TO-252封裝尺寸：
1N65場效應(yīng)管/TO-220封裝尺寸：
1N65場效應(yīng)管/TO-220F封裝尺寸：
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