電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，功率MOS可以在不同的調(diào)制方式下，實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換功能。單個(gè)MOS驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，通過MCU的 PWM模塊調(diào)整占空比，控制功率MOS的通斷，達(dá)到相應(yīng)的功能。
另外，在一些過壓，過流和過載工況下，功率MOS很容易損壞，從而造成整個(gè)驅(qū)動(dòng)板的失效，甚至存在起火的風(fēng)險(xiǎn)。本文提出兩個(gè)冗余驅(qū)動(dòng)線路，可以有效避免MOS單點(diǎn)失效的負(fù)面影響。
圖1：典型的有刷電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
如圖2所示，通過冗余的驅(qū)動(dòng)和功率MOS，可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)的冗余，有效地隔離MOS失效的故障。
在本設(shè)計(jì)中，驅(qū)動(dòng)線路是完全隔離的，即驅(qū)動(dòng)的原邊和副邊是隔離，驅(qū)動(dòng)通道1和通道2是隔離。即使MOS失效，比如任意MOS短路，系統(tǒng)的高壓并不能傳導(dǎo)到低壓，從而實(shí)現(xiàn)故障隔離。
圖2：雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案
雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案的設(shè)計(jì)要點(diǎn)如下：
可以采用兩個(gè)單通道的隔離驅(qū)動(dòng)IC，如果采用隔離半橋驅(qū)動(dòng)芯片，芯片需要支持overlap模式。
輸入通道的供電通過電阻和二極管連接到驅(qū)動(dòng)供電軌。當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓軌通過自舉二極管為自舉電容充電，自舉電容上的電壓可以為上橋臂驅(qū)動(dòng)模塊供電。
自舉二極管擊穿電壓大于母線電壓。
隔離IC的隔離工作電壓大于母線電壓。
PWM輸入信號(hào)，經(jīng)過RC濾波網(wǎng)絡(luò)，避免輸入干擾信號(hào)。
圖3：典型的有刷電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
UCC21225A 是隔離的雙通道驅(qū)動(dòng)芯片，原邊供電電壓3V-18V，副邊供電電壓6.5V – 25V，驅(qū)動(dòng)延遲時(shí)間18ns，CMTI為100V/ns，驅(qū)動(dòng)能力4A/6A，隔離等級(jí)為2500Vrms（在UL1577標(biāo)準(zhǔn)下）。
UCC21225A根據(jù)外圍線路，支持兩通道的低邊驅(qū)動(dòng)，兩通道的高邊驅(qū)動(dòng)和半橋驅(qū)動(dòng)。在本文中，通過配置DT引腳，UCC21225工作在overlap模式。
表1：UCC21225A的參數(shù)表
同時(shí)，UCC21225A具備隔離驅(qū)動(dòng)的特性，輸入和輸出是隔離的，兩個(gè)驅(qū)動(dòng)通道之間也是隔離的。TI技術(shù)說明文檔“Understanding failure modes in isolators”，詳細(xì)給出了隔離器件的失效模式。
由該文檔可知，在失效模式2下，輸入模塊、隔離驅(qū)動(dòng)模塊1和隔離驅(qū)動(dòng)模塊2中的任一一個(gè)模塊發(fā)生故障（短路或者開路），不會(huì)擊穿絕緣基，即故障不會(huì)傳導(dǎo)到其他模塊。根據(jù)以上分析，MOS的不同形式的單點(diǎn)失效，對(duì)系統(tǒng)的影響如表格2所示。
表2：MOS不同失效下系統(tǒng)的影響
通過以上分析得知，在單個(gè)MOS的DS、GD、GS、GDS短路等失效條件下，可以保證系統(tǒng)功能正常，阻斷故障點(diǎn)的擴(kuò)大。但是在單個(gè)MOS的GS和DS開路失效條件下，功率回路斷開，系統(tǒng)可靠關(guān)斷。
同時(shí)，如果雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案中的隔離半橋驅(qū)動(dòng)，采用支持overlap的非隔離半橋驅(qū)動(dòng)，對(duì)于單個(gè)MOS的DS短路故障，可以做到良好的隔離，對(duì)于MOS的GD、GS和GDS短路失效，會(huì)造成驅(qū)動(dòng)IC損壞，系統(tǒng)功能損壞。
雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案在MOS的GS和DS開路失效下，系統(tǒng)的功能異常，在雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案上進(jìn)一步改進(jìn)，將MOS和驅(qū)動(dòng)線路加倍，雙路MOS并聯(lián)在一起，可以保證在MOS的GS和DS開路失效條件下，系統(tǒng)功能正常。
圖4：四管冗余驅(qū)動(dòng)線路
最后，雖然本文給出的示例都是低側(cè)MOS驅(qū)動(dòng)，在提供隔離驅(qū)動(dòng)電壓軌下，該方案也可以拓展到高側(cè)MOS驅(qū)動(dòng)。雙管冗余和四管冗余驅(qū)動(dòng)線路的優(yōu)缺點(diǎn)如下：
表3：雙管冗余和四管冗余驅(qū)動(dòng)方案的優(yōu)缺點(diǎn)分析
本文給出兩種MOS的冗余驅(qū)動(dòng)線路，可以有效避免MOS單點(diǎn)故障造成的影響，在MOS的DS、GD、GS、GDS短路等條件下，雙管冗余驅(qū)動(dòng)可以保證系統(tǒng)功能正常，阻斷故障點(diǎn)的擴(kuò)大。
同時(shí)四管冗余驅(qū)動(dòng)，可以保證系統(tǒng)在MOS的任意單點(diǎn)故障下，隔離故障，系統(tǒng)功能正常。
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