在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關(guān)特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關(guān)狀態(tài)，從而提高整機效率，改善技術(shù)性能，同時使發(fā)射機的射頻功率放大器處于低電壓范圍，有利于設(shè)備的穩(wěn)定運行。
MOS管的開關(guān)特性
MOS管是金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的簡稱，或稱為MOS管，它是有別于結(jié)型場效應(yīng)管的絕緣柵型場效應(yīng)管。
絕緣柵場效應(yīng)管分為兩種類型：一種是耗盡型場效應(yīng)管，一種是增強型場效應(yīng)管。場效應(yīng)管一般有三個電極，即柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。
若其柵源電壓為VGS，則當VGS≤0時，就可能產(chǎn)生漏源電流ID的絕緣柵場效應(yīng)管，即為耗盡型場效應(yīng)管。而在VGS≥0的情況下才能產(chǎn)生漏源電流ID的絕緣柵場效應(yīng)管為增強型場效應(yīng)管。
一般使用的射頻功率場效應(yīng)管都是增強型MOS管，因而只需提供正向偏壓即可使器件工作。
D類MOS管在射頻功放中的應(yīng)用
現(xiàn)以韋爾半導體研發(fā)的數(shù)字化調(diào)幅(DIGITAL AMPLITUDE MODULATION)發(fā)射機為例，來說明D類MOS管在射頻功放中的應(yīng)用。
數(shù)字調(diào)幅就是將控制載波電平和音頻調(diào)制的模擬信號首先轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，再經(jīng)過編碼變成控制射頻功放模塊開通和關(guān)斷的控制信號，通過控制相應(yīng)數(shù)目的射頻功放模塊的開通或者關(guān)斷數(shù)量來實現(xiàn)調(diào)幅。
DAM發(fā)射機取消了傳統(tǒng)的高電平音頻功放，而且所有的射頻功率放大器均工作于D類開關(guān)狀態(tài)。
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