電動車報警器MOS管
背景技術(shù)：如圖所示，為現(xiàn)有技術(shù)電門鎖啟動電路原理圖，通過Acc out鎖頭信號輸出端給三極管Q2 b極一個高電平，使Q2導(dǎo)通；再通過控制驅(qū)動電路中R7和R8分壓使Vgs產(chǎn)生約為1/4Vcc的壓差,Vgs最大不大于25V；再通過C8電容充放電，控制Vgs上升沿，實現(xiàn)P-MOS導(dǎo)通；Vgs上升沿時間越長，P-MOS導(dǎo)通的時間越長，通過延長P-MOS的導(dǎo)通時間來實現(xiàn)對導(dǎo)通內(nèi)阻的控制，從而實現(xiàn)對P-MOS管的導(dǎo)通電流的控制。
控制電路中C8電容的充放電會增加Vgs的結(jié)電容，導(dǎo)致Vgs上升沿時間過長，將導(dǎo)通速度降低，導(dǎo)通內(nèi)阻會增大，存在p-MOS管的結(jié)溫Tj瞬間上升，無法短時間散發(fā)從而造成P-MOS內(nèi)部芯片擊穿。P-MOS管G、S短路。由于采用上述控制電路，電門鎖開啟的瞬間對電門鎖電路容性、感性負載充電，P-MOS峰值電流在VCC＝48V時，IDMAX約大于80A,TD持續(xù)時間約20US，電路存在起火的隱患。
有一點提醒一下蓄電池供電電壓的不同，電動車系統(tǒng)使用MOSFET管數(shù)也有不相同，同時封裝形式也有所不同，電動車MOS管耐壓選型，工程師在選參數(shù)時有什么問題可聯(lián)系技術(shù)員哦！
電動車報警器MOS管選型
| Part Number | ID(A) | BVDSS | Typical RDS(ON) | Max RDS(ON) | Package |
| 23P10A | -23 | -100 | 0.078 | 0.95 | TO-252 |
| 35P10A | -35 | -100 | 0.042 | 0.055 | TO-252 |
可推薦使用：開關(guān)管Q可選用的高壓MOSFET，主要為8N60、10N60、12N60、15N60、20N60等大功率產(chǎn)品等；
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