mos管在電路中的作用
mos管概述
本文主要講mos管在電路中的作用，所以先了解一下MOS管基本知識。MOS管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏極D和源極S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+/P+區，并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個N/P溝道（NPN型）增強型MOS管。
mos管三個極分別代表什么
1.判斷柵極G
MOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率，MOS管發燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間.
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
mos管在電路中的作用
AO3401MOS管在電路中的作用：
AO3401在這個電路中是起到開關作用，當VBUS端輸入低電平時，Q101P溝道VMOS管AO3401的2腳柵極也為低電平，于是，1腳D漏極與3腳源極之間導通，將+5V VCC連接到VBUS端。
MOS管通常在電路中都是起開關作用的嗎？
MOS管在電路中不都是起開關作用，還有放大、阻抗變換、振蕩等等作用。利用它低導通內阻特點作為開關的比較多。
MOS管也就是常說的場效應管（FET），有結型場效應管、絕緣柵型場效應管（又分為增強型和耗盡型場效應管）。也可以只分成兩類P溝道和N溝道，這里我們就按照P溝道和N溝道分類。對MOS管分類不了解的可以自己上網查一下。
場效應管的作用主要有信號的轉換、控制電路的通斷，這里我們講解的是MOS管作為開關管的使用。對于MOS管的選型，注意4個參數：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經過MOS管的電路）、開啟電壓（讓MOS管導通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開關頻率）。下面我們看一下MOS管的引腳，如下圖所示：
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